BSC019N04NSGATMA1

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PG-TDSON-8-1
شماره محصول پایه	BSC019
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	OptiMOS™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	30A (Ta), 100A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4V @ 85µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	108 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerTDFN
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	40 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	8800 pF @ 20 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
نامهای دیگر	BSC019N04NSGATMA1CT BSC019N04NS GDKR-ND BSC019N04NS GCT BSC019N04NS G-ND BSC019N04NS GTR-ND BSC019N04NSGATMA1CT-NDTR-ND 2156-BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NS G BSC019N04NS GDKR BSC019N04NS GCT-ND BSC019N04NSGATMA1TR BSC019N04NSGATMA1DKR BSC019N04NSGATMA1DKR-NDTR-ND INFINFBSC019N04NSGATMA1 SP000388299

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!