NP36P06KDG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 36A TO263
قسمت # NOVA:
312-2263519-NP36P06KDG-E1-AY
شماره قطعه سازنده:
NP36P06KDG-E1-AY
بسته استاندارد:
800
برگه اطلاعات فنی:
P-Channel 60 V 36A (Tc) 1.8W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-263
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | TO-263 | |
| شماره محصول پایه | NP36P06 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | - | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 36A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 29.5mOhm @ 18A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 1mA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 54 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 60 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 3100 pF @ 10 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 1.8W (Ta), 56W (Tc) | |
| نامهای دیگر | NP36P06KDG-E1-AYDKR-ND -1161-NP36P06KDG-E1-AYCT NP36P06KDG-E1-AYDKR NP36P06KDG-E1-AYCT NP36P06KDGE1AY NP36P06KDG-E1-AYTR NP36P06KDG-E1-AYCT-ND 559-NP36P06KDG-E1-AYDKR NP36P06KDG-E1-AY-ND 559-NP36P06KDG-E1-AYCT NP36P06KDG-E1-AYTR-ND 559-NP36P06KDG-E1-AYTR |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
CSD18534Q5ATTexas Instruments
OPA2241UA/2K5Texas Instruments
DMP6110SFDF-7Diodes Incorporated
IXTA96P085T-TRLIXYS
SQM40P10-40L_GE3Vishay Siliconix
FQD11P06TMonsemi- NP20P06SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
- SQM120P06-07L_GE3Vishay Siliconix
- TJ50S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
FQB47P06TM-AM002onsemi
IRF4905STRLPBFInfineon Technologies- NP36P06SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
DMN10H220L-7Diodes Incorporated- NP50P06KDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
