IRFH5302TRPBF

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PQFN (5x6) Single Die
شماره محصول پایه	IRFH5302
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	HEXFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	32A (Ta), 100A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	2.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.35V @ 100µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	76 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerVDFN
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	4400 pF @ 15 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	3.6W (Ta), 100W (Tc)
نامهای دیگر	IRFH5302TRPBFDKR SP001575636 IRFH5302TRPBFCT IRFH5302TRPBFTR 2156-IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF-ND INFINFIRFH5302TRPBF

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!