IPP65R125C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
قسمت # NOVA:
312-2265380-IPP65R125C7XKSA1
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
IPP65R125C7XKSA1
بسته استاندارد:
50
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 101W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Through Hole | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PG-TO220-3 | |
| شماره محصول پایه | IPP65R125 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | CoolMOS™ C7 | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 18A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 125mOhm @ 8.9A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 4V @ 440µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 35 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-220-3 | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 650 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1670 pF @ 400 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 101W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SP001080132 2156-IPP65R125C7XKSA1 INFINFIPP65R125C7XKSA1 |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
FCD4N60TMonsemi