IXTN660N04T4

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B

قسمت # NOVA:

312-2263629-IXTN660N04T4

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

IXTN660N04T4

بسته استاندارد:

برگه اطلاعات فنی:

N-Channel 40 V 660A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	IXYS
RoHS	1
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Chassis Mount
بسته دستگاه تامین کننده	SOT-227B
شماره محصول پایه	IXTN660
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	Trench
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	660A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	0.85mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	860 nC @ 10 V
ویژگی FET	Current Sensing
بسته / مورد	SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (حداکثر)	±15V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	40 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	44000 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	1040W (Tc)