IPP030N10N3GXKSA1

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
قسمت # NOVA:
312-2263480-IPP030N10N3GXKSA1
شماره قطعه سازنده:
IPP030N10N3GXKSA1
بسته استاندارد:
50
برگه اطلاعات فنی:

N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهInfineon Technologies
RoHS 1
دمای عملیاتی -55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصبThrough Hole
بسته دستگاه تامین کننده PG-TO220-3
شماره محصول پایه IPP030
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهOptiMOS™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 100A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)6V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 3.5V @ 275µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 206 nC @ 10 V
ویژگی FET-
بسته / موردTO-220-3
Vgs (حداکثر)±20V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)100 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 14800 pF @ 50 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 300W (Tc)
نامهای دیگرIPP030N10N3 G
IPP030N10N3G
IPP030N10N3 G-ND
SP000680768

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.