SI4122DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
قسمت # NOVA:
312-2279486-SI4122DY-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI4122DY-T1-GE3
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 40 V 27.2A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | 8-SOIC | |
| شماره محصول پایه | SI4122 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | TrenchFET® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 27.2A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 4.5mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 95 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (حداکثر) | ±25V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 40 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 4200 pF @ 20 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 3W (Ta), 6W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SI4122DY-T1-GE3DKR SI4122DY-T1-GE3TR SI4122DY-T1-GE3CT SI4122DYT1GE3 |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
SS2PH10-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes Division
FQD11P06TMonsemi
IXDI609SIIXYS Integrated Circuits Division
SI4491EDY-T1-GE3Vishay Siliconix
L201DS-QEPGBG2SAmerican Opto Plus LED
TLE42694GXUMA2Infineon Technologies
MCP6H01T-E/OTMicrochip Technology