SI4401DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
قسمت # NOVA:
312-2282027-SI4401DDY-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI4401DDY-T1-GE3
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:
P-Channel 40 V 16.1A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | 8-SOIC | |
| شماره محصول پایه | SI4401 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | TrenchFET® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 16.1A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 15mOhm @ 10.2A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 95 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 40 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 3007 pF @ 20 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SI4401DDY-T1-GE3TR SI4401DDY-T1-GE3DKR SI4401DDYT1GE3 SI4401DDY-T1-GE3CT |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
SI52147-A01AGMRSkyworks Solutions Inc.
SI53340-B-GMRSkyworks Solutions Inc.
FDS4141onsemi
STS10P4LLF6STMicroelectronics
INA193AMDBVREPTexas Instruments
SQ4401EY-T1_GE3Vishay Siliconix
DRV8353HMRTATTexas Instruments
DMP4015SSS-13Diodes Incorporated
