DMT8012LK3-13

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Diodes Incorporated
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	TO-252-3
شماره محصول پایه	DMT8012
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	44A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	17mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	3V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	34 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	80 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1949 pF @ 40 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	2.7W (Ta)
نامهای دیگر	DMT8012LK3-13DITR DMT8012LK3-13DICT DMT8012LK3-13DIDKR

In stock نیاز بیشتری؟

‎$۰٫۹۸۶۴۰

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!