BSC110N15NS5ATMA1

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PG-TDSON-8-7
شماره محصول پایه	BSC110
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	OptiMOS™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	76A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	8V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	11mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4.6V @ 91µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	35 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerTDFN
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	150 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	2770 pF @ 75 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	125W (Tc)
نامهای دیگر	BSC110N15NS5ATMA1-ND SP001181418 BSC110N15NS5ATMA1CT BSC110N15NS5ATMA1DKR BSC110N15NS5ATMA1TR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!