BSZ010NE2LS5ATMA1

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PG-TSDSON-8-FL
شماره محصول پایه	BSZ010
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	OptiMOS™ 5
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	32A (Ta), 40A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	29 nC @ 4.5 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerTDFN
Vgs (حداکثر)	±16V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	25 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	3900 pF @ 12 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
نامهای دیگر	SP002103858 448-BSZ010NE2LS5ATMA1TR 448-BSZ010NE2LS5ATMA1CT 448-BSZ010NE2LS5ATMA1DKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!