FDD6N25TM

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	onsemi
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	TO-252AA
شماره محصول پایه	FDD6N25
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	UniFET™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	4.4A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	6 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (حداکثر)	±30V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	250 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	250 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	50W (Tc)
نامهای دیگر	2156-FDD6N25TM-OS FDD6N25TMCT FDD6N25TMTR FDD6N25TMDKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!