DMN3070SSN-7

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Diodes Incorporated
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	SC-59-3
شماره محصول پایه	DMN3070
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	4.2A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	40mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.1V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	13.2 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	697 pF @ 15 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	780mW (Ta)
نامهای دیگر	DMN3070SSN-7DICT DMN3070SSN-7DITR DMN3070SSN-7DIDKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!