DMN62D0LFD-7

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Diodes Incorporated
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	X1-DFN1212-3
شماره محصول پایه	DMN62
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	310mA (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	1.8V, 4V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	2Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	1V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	500 nC @ 4.5 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	3-UDFN
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	60 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	31 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	480mW (Ta)
نامهای دیگر	DMN62D0LFD-7CT-ND DMN62D0LFD-7CT DMN62D0LFD-7TR-ND DMN62D0LFD-7DICT DMN62D0LFD-7TR DMN62D0LFD-7DKR DMN62D0LFD-7DKR-ND DMN62D0LFD-7DITR DMN62D0LFD-7DIDKR