FQU8P10TU

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	onsemi
RoHS	1
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده	I-PAK
شماره محصول پایه	FQU8P10
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	QFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	6.6A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	530mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	15 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (حداکثر)	±30V
نوع FET	P-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	100 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	470 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	2.5W (Ta), 44W (Tc)
نامهای دیگر	FQU8P10TU-ND FQU8P10TUOS ONSONSFQU8P10TU 2156-FQU8P10TU-OS

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!