2SK2009TE85LF

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	SC-59-3
شماره محصول پایه	2SK2009
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	200mA (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	2.5V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	2Ohm @ 50MA, 2.5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	1.5V @ 100µA
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	70 pF @ 3 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	200mW (Ta)
نامهای دیگر	2SK2009TE85LFCT 2SK2009 (TE85L,F) 2SK2009(TE85L,F) 2SK2009TE85LFTR 2SK2009TE85LFDKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!