FDFS2P106A
MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
قسمت # NOVA:
312-2288054-FDFS2P106A
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
FDFS2P106A
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:
P-Channel 60 V 3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | 8-SOIC | |
| شماره محصول پایه | FDFS2P106 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | PowerTrench® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 3A (Ta) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 110mOhm @ 3A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | Schottky Diode (Isolated) | |
| بسته / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 60 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 714 pF @ 30 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 900mW (Ta) | |
| نامهای دیگر | FDFS2P106ATR FDFS2P106A_NLCT-ND FDFS2P106ADKR FDFS2P106A_NL FDFS2P106A_NLTR-ND FDFS2P106ACT FDFS2P106ACT-NDR FDFS2P106A_NLCT FDFS2P106A_NLTR FDFS2P106ATR-NDR |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
LM2937ES-5.0/NOPBTexas Instruments
NDS9407onsemi
1SMB5918BT3Gonsemi
CZRU52C2V4Comchip Technology- FDS9945onsemi
LM2937ES-5.0Texas Instruments
2N7002LT3Gonsemi
TL1431QDRTexas Instruments
