IAUT150N10S5N035ATMA1

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PG-HSOF-8-1
شماره محصول پایه	IAUT150
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	OptiMOS™-5
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	150A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	6V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	3.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	3.8V @ 110µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	87 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerSFN
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	100 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	6110 pF @ 50 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	166W (Tc)
نامهای دیگر	IAUT150N10S5N035 IAUT150N10S5N035ATMA1TR IAUT150N10S5N035DKR IAUT150N10S5N035TR SP001416126 IFEINFIAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035CT IAUT150N10S5N035ATMA1DKR IAUT150N10S5N035ATMA1CT 2156-IAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035ATMA1-ND IAUT150N10S5N035DKR-ND IAUT150N10S5N035CT-ND IAUT150N10S5N035TR-ND

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!