IPD60R180P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
قسمت # NOVA:
312-2263187-IPD60R180P7SAUMA1
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
IPD60R180P7SAUMA1
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PG-TO252-3 | |
| شماره محصول پایه | IPD60R180 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | CoolMOS™ P7 | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 18A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 180mOhm @ 5.6A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 4V @ 280µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 600 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1081 pF @ 400 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 72W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SP001658138 IPD60R180P7SAUMA1DKR IPD60R180P7SAUMA1CT IPD60R180P7SAUMA1-ND IPD60R180P7SAUMA1TR |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
PBHV8560ZXNexperia USA Inc.
ES1JMDD
STPS360AFYSTMicroelectronics
NTR4003NT1Gonsemi
ZXGD3009DYTADiodes Incorporated
GBU8J-BPMicro Commercial Co
IPD80R280P7ATMA1Infineon Technologies
1N4448W-7-FDiodes Incorporated
CDSU101AComchip Technology
IPD60R280P7SAUMA1Infineon Technologies
