IXTA3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
قسمت # NOVA:
312-2289831-IXTA3N120
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
IXTA3N120
بسته استاندارد:
50
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263AA
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | TO-263AA | |
| شماره محصول پایه | IXTA3 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | - | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 3A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 4.5Ohm @ 1.5A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 1200 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1350 pF @ 25 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 200W (Tc) | |
| نامهای دیگر | Q2023873 IXTA3N120-NDR |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
IXTA1R4N120PIXYS- IXFA6N120PIXYS
- IXTA3N120-TRLIXYS
- IXTA1N120PIXYS
IXTA3N120HVIXYS