IPB057N06NATMA1

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PG-TO263-3
شماره محصول پایه	IPB057
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	OptiMOS™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	17A (Ta), 45A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	6V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	5.7mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.8V @ 36µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	27 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	60 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	2000 pF @ 30 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	3W (Ta), 83W (Tc)
نامهای دیگر	IPB057N06N-ND IPB057N06NATMA1DKR IPB057N06NCT IPB057N06NDKR-ND IPB057N06NATMA1CT IPB057N06N IPB057N06NDKR IPB057N06NATMA1TR IPB057N06NCT-ND IPB057N06NTR-ND SP000962140 IPB057N06NTR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!