DMN1019UVT-13

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Diodes Incorporated
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	TSOT-23
شماره محصول پایه	DMN1019
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	10.7A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	1.2V, 4.5V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	800mV @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	50.4 nC @ 8 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (حداکثر)	±8V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	12 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	2588 pF @ 10 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	1.73W (Ta)
نامهای دیگر	DMN1019UVT-13DI

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!