IPD80R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO252
قسمت # NOVA:
312-2288682-IPD80R450P7ATMA1
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
IPD80R450P7ATMA1
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 73W (Tc) Surface Mount PG-TO252-2
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PG-TO252-2 | |
| شماره محصول پایه | IPD80R450 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | CoolMOS™ | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 11A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 450mOhm @ 4.5A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 220µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | Super Junction | |
| بسته / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 800 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 770 pF @ 500 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 73W (Tc) | |
| نامهای دیگر | IPD80R450P7ATMA1DKR IPD80R450P7ATMA1TR SP001422626 IPD80R450P7ATMA1CT |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
IPD80R360P7ATMA1Infineon Technologies
TSX3702IDTSTMicroelectronics
NCV317LBDR2Gonsemi
IPD80R280P7ATMA1Infineon Technologies
