SQJ180EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
قسمت # NOVA:
312-2295735-SQJ180EP-T1_GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SQJ180EP-T1_GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 80 V 248A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PowerPAK® SO-8 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 248A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 3mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 117 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 80 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 6645 pF @ 25 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 500W (Tc) | |
| نامهای دیگر | 742-SQJ180EP-T1_GE3CT 742-SQJ180EP-T1_GE3DKR 742-SQJ180EP-T1_GE3TR |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
NTAT6H406NT4Gonsemi
NVMYS3D3N06CLTWGonsemi
SQJQ480E-T1_GE3Vishay Siliconix
SQJQ160E-T1_GE3Vishay Siliconix
NTMTS001N06CLTXGonsemi
SUM80090E-GE3Vishay Siliconix
IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon Technologies
FDBL0210N80onsemi- IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon Technologies
- SQJQ112E-T1_GE3Vishay Siliconix
NVMJS2D5N06CLTWGonsemi