DMTH6010LPSWQ-13
MOSFET N-CH 60V 15.5A/80A PWRDI
قسمت # NOVA:
312-2300795-DMTH6010LPSWQ-13
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
DMTH6010LPSWQ-13
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 60 V 15.5A (Ta), 80A (Tc) 2.9W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type Q)
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PowerDI5060-8 (Type Q) | |
| شماره محصول پایه | DMTH6010 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | Automotive, AEC-Q101 | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 15.5A (Ta), 80A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 41.3 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 60 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 2090 pF @ 30 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 2.9W (Ta), 75W (Tc) | |
| نامهای دیگر | 31-DMTH6010LPSWQ-13TR |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.