PSMN3R9-100YSFX

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	LFPAK56; Power-SO8
شماره محصول پایه	PSMN3R9
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	120A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	7V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	4.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4V @ 1mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	111 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	SOT-1023, 4-LFPAK
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	100 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	7360 pF @ 50 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	245W (Ta)
نامهای دیگر	1727-PSMN3R9-100YSFXTR 1727-PSMN3R9-100YSFXCT 1727-PSMN3R9-100YSFXDKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!