SQJ140EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 266A PPAK SO-8
قسمت # NOVA:
312-2272431-SQJ140EP-T1_GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SQJ140EP-T1_GE3
بسته استاندارد:
3,000
N-Channel 40 V 266A (Tc) 263W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PowerPAK® SO-8 | |
| شماره محصول پایه | SQJ140 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 266A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 2.1mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 40 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 3855 pF @ 25 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 263W (Tc) | |
| نامهای دیگر | 742-SQJ140EP-T1_GE3DKR 742-SQJ140EP-T1_GE3CT 742-SQJ140EP-T1_GE3TR |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
IAUC100N04S6L014ATMA1Infineon Technologies
SQJ142ELP-T1_GE3Vishay Siliconix- IAUC100N04S6L025ATMA1Infineon Technologies
SQJA36EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SQJ136ELP-T1_GE3Vishay Siliconix
SQJQ144AE-T1_GE3Vishay Siliconix
SQJ138ELP-T1_GE3Vishay Siliconix
