ZXMN2B03E6TA

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Diodes Incorporated
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	SOT-23-6
شماره محصول پایه	ZXMN2
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	4.3A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	1.8V, 4.5V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	1V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	14.5 nC @ 4.5 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	SOT-23-6
Vgs (حداکثر)	±8V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	20 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1160 pF @ 10 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	1.1W (Ta)
نامهای دیگر	ZXMN2B03E6DKR ZXMN2B03E6CT ZXMN2B03E6TR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!