ZXMN2A01E6TA

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Diodes Incorporated
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	SOT-23-6
شماره محصول پایه	ZXMN2
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	2.5A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	2.5V, 4.5V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	120mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	700mV @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	3 nC @ 4.5 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	SOT-23-6
Vgs (حداکثر)	±12V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	20 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	303 pF @ 15 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	1.1W (Ta)
نامهای دیگر	ZXMN2A01E6CT-ND ZXMN2A01E6CT-NDR ZXMN2A01E6TR-ND ZXMN2A01E6TR-NDR ZXMN2A01E6DKR ZXMN2A01E6DKRINACTIVE 1034-ZXMN2A01E6CT 31-ZXMN2A01E6TATR ZXMN2A01E6DKR-ND ZXMN2A01E6TR 31-ZXMN2A01E6TACT ZXMN2A01E6CT 31-ZXMN2A01E6TADKR 1034-ZXMN2A01E6TR