SI3483DDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP
قسمت # NOVA:
312-2285070-SI3483DDV-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI3483DDV-T1-GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:
P-Channel 30 V 6.4A (Ta), 8A (Tc) 2W (Ta), 3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | 6-TSOP | |
| شماره محصول پایه | SI3483 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | TrenchFET® Gen IV | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 6.4A (Ta), 8A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 31.2mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 2.2V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (حداکثر) | +16V, -20V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 30 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 580 pF @ 15 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 2W (Ta), 3W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SI3483DDV-T1-GE3DKR SI3483DDV-T1-GE3TR SI3483DDV-T1-GE3CT |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
RQ6E050ATTCRRohm Semiconductor- RQ6E060ATTCRRohm Semiconductor
SQ3457EV-T1_BE3Vishay Siliconix
SI3493DDV-T1-GE3Vishay Siliconix
ZXCT1010E5TADiodes Incorporated- SI3417DV-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI3469DV-T1-E3Vishay Siliconix
- SI3457CDV-T1-E3Vishay Siliconix
- SI3483CDV-T1-E3Vishay Siliconix
- SI3483CDV-T1-GE3Vishay Siliconix
