SI8817DB-T2-E1

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Vishay Siliconix
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	4-Microfoot
شماره محصول پایه	SI8817
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	TrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	2.1A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	1.5V, 4.5V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	76mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	1V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	19 nC @ 8 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	4-XFBGA
Vgs (حداکثر)	±8V
نوع FET	P-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	20 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	615 pF @ 10 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	500mW (Ta)
نامهای دیگر	SI8817DB-T2-E1TR SI8817DB-T2-E1DKR SI8817DB-T2-E1CT SI8817DBT2E1