CSD18512Q5BT

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Texas Instruments
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	8-VSON-CLIP (5x6)
شماره محصول پایه	CSD18512
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	NexFET™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	211A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	1.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.2V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	98 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerTDFN
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	40 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	7120 pF @ 20 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	139W (Tc)
نامهای دیگر	296-CSD18512Q5BTCT CSD18512Q5BT-ND 2156-CSD18512Q5BT TEXTISCSD18512Q5BT 296-CSD18512Q5BTDKR 296-CSD18512Q5BTTR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!