FDD86581-F085
MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
قسمت # NOVA:
312-2287725-FDD86581-F085
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
FDD86581-F085
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 60 V 25A (Tc) 48.4W (Tj) Surface Mount D-PAK (TO-252)
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | D-PAK (TO-252) | |
| شماره محصول پایه | FDD86581 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | - | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 25A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 15mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 60 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 880 pF @ 30 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 48.4W (Tj) | |
| نامهای دیگر | FDD86581-F085-ND FDD86581_F085-ND FDD86581_F085 FDD86581-F085OSDKR FDD86581-F085OSCT FDD86581-F085OSTR |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
SMBZ5919B-E3/5BVishay General Semiconductor - Diodes Division
STD20NF06LAGSTMicroelectronics
1SMB5919BT3Gonsemi
FDD18N20LZonsemi
DMNH6042SK3Q-13Diodes Incorporated- SMBZ5919B-E3/52Vishay General Semiconductor - Diodes Division
NTD5865NLT4Gonsemi
