IMZ120R090M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
قسمت # NOVA:
312-2289900-IMZ120R090M1HXKSA1
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
IMZ120R090M1HXKSA1
بسته استاندارد:
30
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 1200 V 26A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Through Hole | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PG-TO247-4-1 | |
| شماره محصول پایه | IMZ120 | |
| فن آوری | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| سلسله | CoolSiC™ | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 26A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 15V, 18V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 117mOhm @ 8.5A, 18V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 5.7V @ 3.7mA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 21 nC @ 18 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-247-4 | |
| Vgs (حداکثر) | +23V, -7V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 1200 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 707 pF @ 800 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 115W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SP001946182 |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
C3M0021120KWolfspeed, Inc.
AIMW120R035M1HXKSA1Infineon Technologies
MSC080SMA120B4Microchip Technology
SCT3040KRC14Rohm Semiconductor
G3R40MT12KGeneSiC Semiconductor- G3R30MT12KGeneSiC Semiconductor
- G3R45MT17KGeneSiC Semiconductor
NTH4L040N120SC1onsemi- NTH4L080N120SC1onsemi
