BSM300C12P3E301

SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
قسمت # NOVA:
312-2291937-BSM300C12P3E301
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
BSM300C12P3E301
بسته استاندارد:
4
برگه اطلاعات فنی:

N-Channel 1200 V 300A (Tc) 1360W (Tc) Module

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهRohm Semiconductor
RoHS 1
دمای عملیاتی -40°C ~ 150°C (TJ)
بسته دستگاه تامین کننده Module
شماره محصول پایه BSM300
فن آوریSiCFET (Silicon Carbide)
سلسله-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 300A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)-
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs -
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 5.6V @ 80mA
ویژگی FETStandard
بسته / موردModule
Vgs (حداکثر)+22V, -4V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)1200 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 1500 pF @ 10 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 1360W (Tc)
نامهای دیگر846-BSM300C12P3E301

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.