SI2302CDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
قسمت # NOVA:
312-2280336-SI2302CDS-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI2302CDS-T1-GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:

N-Channel 20 V 2.6A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده SOT-23-3 (TO-236)
شماره محصول پایه SI2302
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهTrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 2.6A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)2.5V, 4.5V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 850mV @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 5.5 nC @ 4.5 V
ویژگی FET-
بسته / موردTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (حداکثر)±8V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)20 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 710mW (Ta)
نامهای دیگرSI2302CDS-T1-GE3CT
SI2302CDST1GE3
SI2302CDS-T1-GE3DKR
SI2302CDS-T1-GE3TR

In stock نیاز بیشتری؟

‎$۰٫۰۸۳۹۰
Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!