IPD90N06S4L05ATMA2

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PG-TO252-3-11
شماره محصول پایه	IPD90N06
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	90A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	4.6mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.2V @ 60µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	110 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (حداکثر)	±16V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	60 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	8180 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	107W (Tc)
نامهای دیگر	SP001028748 INFINFIPD90N06S4L05ATMA2 2156-IPD90N06S4L05ATMA2

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!