TPH9R506PL,LQ

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	175°C
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	8-SOP Advance (5x5)
شماره محصول پایه	TPH9R506
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	U-MOSIX-H
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	34A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	9.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.5V @ 200µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	21 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerVDFN
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	60 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1910 pF @ 30 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	830mW (Ta), 81W (Tc)
نامهای دیگر	264-TPH9R506PLLQTR 264-TPH9R506PLLQCT TPH9R506PL,LQ(S 264-TPH9R506PLLQDKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!