SI7655DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
قسمت # NOVA:
312-2273080-SI7655DN-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI7655DN-T1-GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:
P-Channel 20 V 40A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PowerPAK® 1212-8S | |
| شماره محصول پایه | SI7655 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | TrenchFET® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 40A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 2.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 3.6mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 1.1V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 225 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | PowerPAK® 1212-8S | |
| Vgs (حداکثر) | ±12V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 20 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 6600 pF @ 10 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SI7655DN-T1-GE3CT SI7655DN-T1-GE3DKR SI7655DN-T1-GE3TR SI7655DNT1GE3 |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
SI7613DN-T1-GE3Vishay Siliconix
SI7145DP-T1-GE3Vishay Siliconix
DMP2008UFG-7Diodes Incorporated
SISS65DN-T1-GE3Vishay Siliconix- SIS407DN-T1-GE3Vishay Siliconix
DMN32D2LFB4-7Diodes Incorporated
74LVC2T45GS-Q100XNexperia USA Inc.- SI7655ADN-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI7137DP-T1-GE3Vishay Siliconix
- SISS61DN-T1-GE3Vishay Siliconix
