FDD86102
MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
قسمت # NOVA:
312-2282250-FDD86102
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
FDD86102
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 100 V 8A (Ta), 36A (Tc) 3.1W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | TO-252AA | |
| شماره محصول پایه | FDD861 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | PowerTrench® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 8A (Ta), 36A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 6V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 24mOhm @ 8A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 100 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1035 pF @ 50 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 3.1W (Ta), 62W (Tc) | |
| نامهای دیگر | FDD86102TR FDD86102DKR FDD86102CT |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
BUK7227-100B,118Nexperia USA Inc.
STF10N95K5STMicroelectronics
AOD4126Alpha & Omega Semiconductor Inc.
FDD86102LZonsemi
SUD35N10-26P-GE3Vishay Siliconix- FDD6637onsemi
