FQN1N60CTA

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	onsemi
RoHS	1
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده	TO-92-3
شماره محصول پایه	FQN1N60
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	QFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	300mA (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	11.5Ohm @ 150mA, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	6.2 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Vgs (حداکثر)	±30V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	600 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	170 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	1W (Ta), 3W (Tc)
نامهای دیگر	FQN1N60CTA-ND FQN1N60CTATB FQN1N60CTACT FQN1N60CTADKR-ND FQN1N60CTADKR FQN1N60CTADKRINACTIVE

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!