SIJ494DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
قسمت # NOVA:
312-2290422-SIJ494DP-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SIJ494DP-T1-GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:

N-Channel 150 V 36.8A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده PowerPAK® SO-8
شماره محصول پایه SIJ494
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهThunderFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 36.8A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)7.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 23.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 4.5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 31 nC @ 10 V
ویژگی FET-
بسته / موردPowerPAK® SO-8
Vgs (حداکثر)±20V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)150 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 1070 pF @ 75 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 69.4W (Tc)
نامهای دیگرSIJ494DP-T1-GE3TR
SIJ494DP-T1-GE3CT
SIJ494DP-T1-GE3DKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.