SIHP20N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB
قسمت # NOVA:
312-2278387-SIHP20N50E-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SIHP20N50E-GE3
بسته استاندارد:
1,000
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 500 V 19A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Through Hole | |
| بسته دستگاه تامین کننده | TO-220AB | |
| شماره محصول پایه | SIHP20 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | - | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 19A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 184mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 92 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-220-3 | |
| Vgs (حداکثر) | ±30V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 500 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1640 pF @ 100 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 179W (Tc) |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
- UF1007-TDiodes Incorporated
- BAT54CTRSMC Diode Solutions
- TL432IDBZTTexas Instruments
- LM7815CT/NOPBTexas Instruments
- AD8065ARZ-REEL7Analog Devices Inc.
- LM317ATTexas Instruments
- SZBZX84C6V8LT1Gonsemi






