SQJ402EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
قسمت # NOVA:
312-2281574-SQJ402EP-T1_GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SQJ402EP-T1_GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 100 V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| شماره محصول پایه | SQJ402 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 32A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 11mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 51 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 100 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 2289 pF @ 40 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 83W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SQJ402EP-T1_GE3DKR SQJ402EP-T1_GE3CT SQJ402EP-T1_GE3TR |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
DMP6110SFDF-7Diodes Incorporated
SIR876ADP-T1-GE3Vishay Siliconix- SI7469DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SZ1SMA5918BT3Gonsemi
USB2514B/M2Microchip Technology
SQJ409EP-T1_GE3Vishay Siliconix- SQJA80EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SQSA12CENW-T1_GE3Vishay Siliconix
SQJ488EP-T1_GE3Vishay Siliconix- SQJA82EP-T1_GE3Vishay Siliconix