SCT3120AW7TL

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Rohm Semiconductor
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	175°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	TO-263-7
شماره محصول پایه	SCT3120
فن آوری	SiCFET (Silicon Carbide)
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	21A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	156mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	5.6V @ 3.33mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	38 nC @ 18 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs (حداکثر)	+22V, -4V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	650 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	460 pF @ 500 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	100W
نامهای دیگر	846-SCT3120AW7TLTR 846-SCT3120AW7TLDKR 846-SCT3120AW7TLCT

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!