CSD17309Q3

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Texas Instruments
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
شماره محصول پایه	CSD17309
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	NexFET™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	20A (Ta), 60A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	3V, 8V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	5.4mOhm @ 18A, 8V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	1.7V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerTDFN
Vgs (حداکثر)	+10V, -8V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1440 pF @ 15 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	2.8W (Ta)
نامهای دیگر	-CSD17309Q3-NDR -296-27250-1-ND 296-27250-6 296-27250-1 296-27250-2

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!