SCTWA90N65G2V-4

TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
قسمت # NOVA:
312-2289944-SCTWA90N65G2V-4
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SCTWA90N65G2V-4
بسته استاندارد:
30
برگه اطلاعات فنی:

N-Channel 650 V 119A (Tc) 565W (Tc) Through Hole HiP247™ Long Leads

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهSTMicroelectronics
RoHS 1
دمای عملیاتی -55°C ~ 200°C (TJ)
نوع نصبThrough Hole
بسته دستگاه تامین کننده HiP247™ Long Leads
شماره محصول پایه SCTWA90
فن آوریSiCFET (Silicon Carbide)
سلسله-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 119A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 24mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 5V @ 1mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 157 nC @ 18 V
ویژگی FET-
بسته / موردTO-247-3
Vgs (حداکثر)+22V, -10V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)650 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 3380 pF @ 400 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 565W (Tc)
نامهای دیگر497-SCTWA90N65G2V-4

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.