IPB60R120P7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 26A D2PAK
قسمت # NOVA:
312-2289038-IPB60R120P7ATMA1
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
IPB60R120P7ATMA1
بسته استاندارد:
1,000
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 650 V 26A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PG-TO263-3 | |
| شماره محصول پایه | IPB60R120 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | CoolMOS™ P7 | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 26A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 120mOhm @ 8.2A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 4V @ 410µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 650 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1544 pF @ 400 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 95W (Tc) | |
| نامهای دیگر | IPB60R120P7ATMA1-ND IPB60R120P7ATMA1TR 2156-IPB60R120P7ATMA1 SP001664922 IPB60R120P7ATMA1DKR IPB60R120P7 IPB60R120P7ATMA1CT IFEINFIPB60R120P7ATMA1 |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
IPB60R099P7ATMA1Infineon Technologies
H130B-25.000-10-F-1010-EXT-TRRaltron Electronics- SIHB28N60EF-GE3Vishay Siliconix