RSJ550N10TL

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Rohm Semiconductor
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	LPTS
شماره محصول پایه	RSJ550
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	55A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	16.8mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.5V @ 1mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	143 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	100 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	6150 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	100W (Tc)
نامهای دیگر	RSJ550N10TLDKR RSJ550N10TLCT RSJ550N10TLTR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!