MSCSM120AM08CT3AG

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F

قسمت # NOVA:

303-2249230-MSCSM120AM08CT3AG

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

MSCSM120AM08CT3AG

بسته استاندارد:

برگه اطلاعات فنی:

Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1200V (1.2kV) 337A (Tc) 1.409kW (Tc) Chassis Mount SP3F

More Information
دسته بندی	ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازنده	Microchip Technology
RoHS	1
دمای عملیاتی	-40°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Chassis Mount
بسته دستگاه تامین کننده	SP3F
شماره محصول پایه	MSCSM120
بسته / مورد	Module
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	337A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	7.8mOhm @ 160A, 20V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.8V @ 4mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	928nC @ 20V
ویژگی FET	Silicon Carbide (SiC)
نوع FET	2 N Channel (Phase Leg)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	1200V (1.2kV)
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	12.08pF @ 1000V
قدرت - حداکثر	1.409kW (Tc)
نامهای دیگر	150-MSCSM120AM08CT3AG

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!